| 标准号 | 标准中文名称 | 发布日期 | 摘要 |
| YS/T 119.7-2004 | 氧化铝生产专用设备热平衡测定与计算方法 第7部分 管道化溶出系统 | 2004-06-17 | 本部分规定了氧化铝生产管道化溶出系统的热平衡测定与计算基准、测定条件、测定项目及计算方法。
本部分适用于氧化铝生产以燃油为燃料的熔盐间接加热的管道 详细信息... |
| GB/T 1597-2004 | 铱坩锅 | 2004-7-1 | 本标准规定了铱坩埚的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及合同内容等。
本标准适用于生长激光晶体及特殊作用的铸造和铱板焊接法生产的铱坩 详细信息... |
| GB/T 15713-1995 | 锗单晶片 | 1995-10-17 | 本标准规定了锗单晶切割片、研磨片和腐蚀片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于各种牌号的锗单晶经切割、双面研磨、分割、腐 详细信息... |
| GB/T 14139-1993 | 硅外延片 | 1993-2-6 | 本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层(N/N+)和在P型硅抛光 详细信息... |
| GB/T 12962-1996 | 硅单晶 | 1996-11-4 | 本标准规定了硅单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于用直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂)制备的硅单晶。产品主要 详细信息... |
| GB/T 12963-1996 | 硅多晶 | 1996-11-4 | 本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的半导体级硅多晶。产品主要用 详细信息... |
| GB/T 12965-1996 | 硅单晶切割片和研磨片 | 1996-11-4 | 本标准规定了硅单晶切割片和研磨片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面 详细信息... |
| GB/T 5238-1995 | 锗单晶 | 1995-10-17 | 本标准规定了锗单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于制作半导体器件等用的锗单晶。 详细信息... |
| GB/T 8646-1998 | 半导体键合铝-1%硅细丝 | 1998-7-15 | 本标准规定了半导体键合铝-1%硅细丝的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存。本标准适用于半导体键合用圆形拉制Al-1%Si合金丝。 详细信息... |
| GB 11072-1989 | 锑化铟多晶、单晶及切割片 | 1989-3-31 | 本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟 详细信息... |
| GB 11094-1989 | 水平法砷化镓单晶及切割片 | 1989-3-31 | 本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感 详细信息... |
| GB 2881-1991 | 工业硅技术条件 | 1991-10-5 | 本标准规定了工业硅的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于在矿热炉内用碳质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅。此种工业硅主要用于配制合 详细信息... |
| GB 11070-11071-89 | 还原锗锭和区熔锗锭 | 1989-3-31 | 详细信息... |
| GB/T 12964-2003 | 硅单晶抛光片 | 2003-6-16 | 本标准规定了硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面 详细信息... |
| GB/T 19199-2003 | 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 | 2003-6-16 | 本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于1.0×107Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度 详细信息... |